电子工程词典 - ZBT SRAM

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零 总线变换（Zero Bus Turnaround）SRAM，它是一种类型的SRAM。术语“零总线变换”由IDT公司在1996年十月提出。IDT、Micron和 Motorola各自独立地开发了ZBT技术，并且所有三家公司均基于相同的构架提供兼容的ZBT产品。顾名思义，ZBT SRAM在读周期与写周期切换的时候不需要变换周期。通过利用每一个总线周期，ZBT SRAM为系统提供了最大的吞吐量，从而提供了最大的系统带宽。如果一个系统在数据总线上具有许多随机的、交错混合的读写操作的话，ZBT SRAM的这种特性就带来了非常大的好处。下图演示了ZBT SRAM与传统SRAM之间的区别。




ZBT SRAM具有pipelined和flowthrough两个类型。pipelined器件具有更高的操作频率，而flowthrough器件则具有更短的潜伏期。两种类型的控制信号是相同的，并且比Sync Burst SRAM的控制信号更少。
Pipelined ZBT SRAM

Pipelined ZBT SRAM是一种late-late-read RAM，数据在地址信号的两个时钟周期之后出现。为了实现交错的读和写，它还是一种late-late-write RAM。在读操作过程中，有效数据在地址和控制信号的两个时钟周期之后出现。相似地，在写操作过程中，数据在地址和控制信号被锁存后的两个时钟周期输入。 如下图所示：



Flowthrough ZBT SRAM

Flowthrough ZBT SRAM是一种late- read RAM，数据在地址信号的一个时钟周期之后出现。为了实现交错的读和写，它还是一种late-write RAM。如下图所示：